FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А

59,40 ₽

Артикул: e9de3a48a3ea Категория:

      Описание

      FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А The FDS6930B is a dual N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

      • Fast switching speed
      • Low gate charge
      • High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
      • High power and current handling capability
      • -55 to 150 C Junction and storage temperature range

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Бренд

      ON SEMICONDUCTOR
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      8вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      SOIC
      Рассеиваемая Мощность

      2Вт
      Полярность Транзистора

      Двойной N Канал
      Напряжение Истока-стока Vds

      30В
      Непрерывный Ток Стока

      5.5А
      Наименование

      FDS6930B, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.5 А, 30 В, 0.031 Ом, 10 В, 1.9 В