FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В

168,30 

Артикул: 3f9e316696ee Категория:

Описание

FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Детали
Бренд

ON SEMICONDUCTOR

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB

Рассеиваемая Мощность

73.5Вт

DC Ток Коллектора

10а

Наименование

FGB5N60UNDF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.9 В, 73.5 Вт, 600 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов)